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NVMFD5853NWFT1G

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Número de parte	NVMFD5853NWFT1G
LIXINC Part #	NVMFD5853NWFT1G
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - arreglos
Descripción	N-CHANNEL, MOSFET
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NVMFD5853NWFT1G Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NVMFD5853NWFT1G Especificaciones

Número de parte:	NVMFD5853NWFT1G
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - arreglos
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	2 N-Channel (Dual)
característica fet:	Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	40V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	12A
rds en (máx.) @ id, vgs:	10mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	24nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1225pF @ 25V
potencia - máx.:	3.1W
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	8-PowerTDFN
paquete de dispositivos del proveedor:	8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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