EPC2101ENGRT | EPC EPC2101ENGRT | EPC2101ENGRT Inventory, Best Pricing

EPC2101ENGRT

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	EPC2101ENGRT
LIXINC Part #	EPC2101ENGRT
Fabricante	EPC
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - arreglos
Descripción	GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	EPC2101ENGRT Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 25 - Sep 29 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

EPC2101ENGRT Especificaciones

Número de parte:	EPC2101ENGRT
Marca:	EPC
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - arreglos
Fabricante:	EPC
serie:	*
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Discontinued at Digi-Key
tipo de feto:	2 N-Channel (Half Bridge)
característica fet:	GaNFET (Gallium Nitride)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	60V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	9.5A, 38A
rds en (máx.) @ id, vgs:	11.5mOhm @ 20A, 5V
vgs(th) (máx) @ id:	2.5V @ 2mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	2.7nC @ 5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	300pF @ 30V
potencia - máx.:	-
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	Die
paquete de dispositivos del proveedor:	Die