TPC8211(TE12L,Q,M) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPC8211(TE12L,Q,M) | TPC8211(TE12L,Q,M) Inventory, Best Pricing

TPC8211(TE12L,Q,M)

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Número de parte	TPC8211(TE12L,Q,M)
LIXINC Part #	TPC8211(TE12L,Q,M)
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - arreglos
Descripción	MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	TPC8211(TE12L,Q,M) Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 25 - Sep 29 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

TPC8211(TE12L,Q,M) Especificaciones

Número de parte:	TPC8211(TE12L,Q,M)
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - arreglos
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	2 N-Channel (Dual)
característica fet:	Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	5.5A
rds en (máx.) @ id, vgs:	36mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.5V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	25nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1250pF @ 10V
potencia - máx.:	450mW
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
paquete de dispositivos del proveedor:	8-SOP (5.5x6.0)