IRF7379PBF | IR (Infineon Technologies) IRF7379PBF | IRF7379PBF Inventory, Best Pricing

IRF7379PBF

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	IRF7379PBF
LIXINC Part #	IRF7379PBF
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - arreglos
Descripción	MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IRF7379PBF Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 26 - Sep 30 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IRF7379PBF Especificaciones

Número de parte:	IRF7379PBF
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - arreglos
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	HEXFET®
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N and P-Channel
característica fet:	Standard
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	5.8A, 4.3A
rds en (máx.) @ id, vgs:	45mOhm @ 5.8A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	1V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	25nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	520pF @ 25V
potencia - máx.:	2.5W
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquete de dispositivos del proveedor:	8-SO