FDMA2002NZ_F130 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDMA2002NZ_F130

FDMA2002NZ_F130

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Número de parte	FDMA2002NZ_F130
LIXINC Part #	FDMA2002NZ_F130
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - arreglos
Descripción	INTEGRATED CIRCUIT
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	FDMA2002NZ_F130 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 26 - Sep 30 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

FDMA2002NZ_F130 Especificaciones

Número de parte:	FDMA2002NZ_F130
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - arreglos
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	PowerTrench®
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	2 N-Channel (Dual)
característica fet:	Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	2.9A
rds en (máx.) @ id, vgs:	123mOhm @ 2.9A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id:	1.5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	3nC @ 4.5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	220pF @ 15V
potencia - máx.:	650mW
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	6-VDFN Exposed Pad
paquete de dispositivos del proveedor:	6-MicroFET (2x2)