PD20010-E

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Número de parte	PD20010-E
LIXINC Part #	PD20010-E
Fabricante	STMicroelectronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - rf
Descripción	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	PD20010-E Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 15 - Sep 19 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

PD20010-E Especificaciones

Número de parte:	PD20010-E
Marca:	STMicroelectronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - rf
Fabricante:	STMicroelectronics
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de transistor:	LDMOS
frecuencia:	2GHz
ganar:	11dB
voltaje - prueba:	13.6 V
clasificación actual (amperios):	5A
figura de ruido:	-
corriente - prueba:	150 mA
Salida de potencia:	10W
voltaje - nominal:	40 V
paquete / caja:	PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
paquete de dispositivos del proveedor:	PowerSO-10RF (Formed Lead)

PD20010-E Documentos

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