NE3517S03-T1C-A | Rochester Electronics NE3517S03-T1C-A | NE3517S03-T1C-A Inventory, Best Pricing

NE3517S03-T1C-A

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Número de parte	NE3517S03-T1C-A
LIXINC Part #	NE3517S03-T1C-A
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - rf
Descripción	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NE3517S03-T1C-A Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 06 - Oct 10 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NE3517S03-T1C-A Especificaciones

Número de parte:	NE3517S03-T1C-A
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - rf
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de transistor:	HFET
frecuencia:	20GHz
ganar:	13.5dB
voltaje - prueba:	2 V
clasificación actual (amperios):	15mA
figura de ruido:	0.7dB
corriente - prueba:	10 mA
Salida de potencia:	-
voltaje - nominal:	4 V
paquete / caja:	4-SMD, Flat Leads
paquete de dispositivos del proveedor:	S03

ARF465BG	RF PWR MOSFET 1200V 6A TO-247	971 Más sobre el pedido
SCH1402-TL-E	NCH 1.8V DRIVE SERIES	15983 Más sobre el pedido
BLL6H0514-25,112	RF FET LDMOS 100V 21DB SOT467C	962 Más sobre el pedido
NE3510M04-T2-A	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	258344 Más sobre el pedido
MRF6V14300HSR5	RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR	1218 Más sobre el pedido
CGH40010F	RF MOSFET HEMT 28V 440166	3882 Más sobre el pedido
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BLF888A,112	RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539A	1009 Más sobre el pedido
AFT09MS031NR1	FET RF 40V 870MHZ TO-270-2	1315 Más sobre el pedido
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BLA1011-2,112	RF FET LDMOS 75V 16DB SOT538A	805 Más sobre el pedido