BLF6G27LS-50BN,112 | NXP Semiconductors BLF6G27LS-50BN,112 | BLF6G27LS-50BN,112 Inventory, Best Pricing

BLF6G27LS-50BN,112

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Número de parte	BLF6G27LS-50BN,112
LIXINC Part #	BLF6G27LS-50BN,112
Fabricante	NXP Semiconductors
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - rf
Descripción	TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	BLF6G27LS-50BN,112 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 20 - Oct 24 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

BLF6G27LS-50BN,112 Especificaciones

Número de parte:	BLF6G27LS-50BN,112
Marca:	NXP Semiconductors
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - rf
Fabricante:	NXP Semiconductors
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de transistor:	LDMOS (Dual)
frecuencia:	2.5GHz ~ 2.7GHz
ganar:	16.5dB
voltaje - prueba:	28 V
clasificación actual (amperios):	12A
figura de ruido:	-
corriente - prueba:	430 mA
Salida de potencia:	3W
voltaje - nominal:	65 V
paquete / caja:	SOT-1112B
paquete de dispositivos del proveedor:	CDFM6

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