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2N6760

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Número de parte	2N6760
LIXINC Part #	2N6760
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	N-CHANNEL POWER MOSFET
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	2N6760 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 10 - Oct 14 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

2N6760 Especificaciones

Número de parte:	2N6760
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	400 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	5.5A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	1.22Ohm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	39 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	-
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	4W (Ta), 75W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-204AA
paquete / caja:	TO-204AA, TO-3

IXTK8N150L	MOSFET N-CH 1500V 8A TO264	826 Más sobre el pedido
NVMFS6H824NT1G	MOSFET N-CH 80V 19A/103A 5DFN	957 Más sobre el pedido
BUK7Y14-80EX	MOSFET N-CH 80V 65A LFPAK56	1037 Más sobre el pedido
TN5325N3-G-P002	MOSFET N-CH 250V 215MA TO92-3	972 Más sobre el pedido
IXFN62N80Q3	MOSFET N-CH 800V 49A SOT227B	916 Más sobre el pedido
FDS4410A	SINGLE N CHANNEL, LOGIC-LEVEL, P	1722 Más sobre el pedido
SIS110DN-T1-GE3	MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK	4064 Más sobre el pedido
NTMS5P02R2G	MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC	3384 Más sobre el pedido
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