STU1HN60K3 | STMicroelectronics STU1HN60K3 | STU1HN60K3 Inventory, Best Pricing

STU1HN60K3

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	STU1HN60K3
LIXINC Part #	STU1HN60K3
Fabricante	STMicroelectronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 600V 1.2A IPAK
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	STU1HN60K3 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 10 - Oct 14 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

STU1HN60K3 Especificaciones

Número de parte:	STU1HN60K3
Marca:	STMicroelectronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	STMicroelectronics
serie:	SuperMESH3™
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Not For New Designs
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	600 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	1.2A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	8Ohm @ 600mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4.5V @ 50µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	9.5 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	140 pF @ 50 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	27W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	I-PAK
paquete / caja:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA