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NTE2399

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Número de parte	NTE2399
LIXINC Part #	NTE2399
Fabricante	NTE Electronics, Inc.
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CHANNEL 1KV 3.1A TO220
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NTE2399 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 10 - Oct 14 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NTE2399 Especificaciones

Número de parte:	NTE2399
Marca:	NTE Electronics, Inc.
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	NTE Electronics, Inc.
serie:	-
paquete:	Bag
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	1 kV
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	3.1A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	5Ohm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	80 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	980 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-220
paquete / caja:	TO-220-3