TN0110N3-G-P002 | Roving Networks / Microchip Technology TN0110N3-G-P002

TN0110N3-G-P002

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Número de parte	TN0110N3-G-P002
LIXINC Part #	TN0110N3-G-P002
Fabricante	Roving Networks / Microchip Technology
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	TN0110N3-G-P002 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 10 - Oct 14 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

TN0110N3-G-P002 Especificaciones

Número de parte:	TN0110N3-G-P002
Marca:	Roving Networks / Microchip Technology
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Roving Networks / Microchip Technology
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	100 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	350mA (Tj)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	3Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2V @ 500µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	-
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	60 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-92-3
paquete / caja:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)