BSC042N03MSGATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSC042N03MSGATMA1 | BSC042N03MSGATMA1 Inventory, Best Pricing

BSC042N03MSGATMA1

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	BSC042N03MSGATMA1
LIXINC Part #	BSC042N03MSGATMA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 30V 17A/93A TDSON
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	BSC042N03MSGATMA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

BSC042N03MSGATMA1 Especificaciones

Número de parte:	BSC042N03MSGATMA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	17A (Ta), 93A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	4.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	55 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	4300 pF @ 15 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	2.5W (Ta), 57W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-TDSON-8-5
paquete / caja:	8-PowerTDFN