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HAT2279N-EL-E

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Número de parte	HAT2279N-EL-E
LIXINC Part #	HAT2279N-EL-E
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 80V 30A 8LFPAK
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	HAT2279N-EL-E Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 08 - Oct 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

HAT2279N-EL-E Especificaciones

Número de parte:	HAT2279N-EL-E
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	80 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	30A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	-
rds en (máx.) @ id, vgs:	12.3mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	-
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	60 nC @ 10 V
vgs (máx.):	-
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	3.52 pF @ 10 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	8-LFPAK-iV
paquete / caja:	8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width)