CSD17309Q3 | Texas Instruments CSD17309Q3 | CSD17309Q3 Inventory, Best Pricing

CSD17309Q3

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	CSD17309Q3
LIXINC Part #	CSD17309Q3
Fabricante	Texas Instruments
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8VSON
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	CSD17309Q3 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 09 - Oct 13 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

CSD17309Q3 Especificaciones

Número de parte:	CSD17309Q3
Marca:	Texas Instruments
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Texas Instruments
serie:	NexFET™
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	20A (Ta), 60A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	3V, 8V
rds en (máx.) @ id, vgs:	5.4mOhm @ 18A, 8V
vgs(th) (máx) @ id:	1.7V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	10 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	+10V, -8V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1440 pF @ 15 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	2.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
paquete / caja:	8-PowerTDFN