STW50N65DM2AG | STMicroelectronics STW50N65DM2AG | STW50N65DM2AG Inventory, Best Pricing

STW50N65DM2AG

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	STW50N65DM2AG
LIXINC Part #	STW50N65DM2AG
Fabricante	STMicroelectronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 650V 28A TO247
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	STW50N65DM2AG Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 10 - Oct 14 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

STW50N65DM2AG Especificaciones

Número de parte:	STW50N65DM2AG
Marca:	STMicroelectronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	STMicroelectronics
serie:	Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	650 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	28A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	87mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	70 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±25V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	3200 pF @ 100 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-247
paquete / caja:	TO-247-3