NDH832P | Rochester Electronics NDH832P | NDH832P Inventory, Best Pricing

NDH832P

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	NDH832P
LIXINC Part #	NDH832P
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET P-CH 20V 4.2A SUPERSOT8
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NDH832P Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jun 30 - Jul 04 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NDH832P Especificaciones

Número de parte:	NDH832P
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	P-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	20 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	4.2A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	2.7V, 4.5V
rds en (máx.) @ id, vgs:	60mOhm @ 4.2A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id:	1V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	30 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	-8V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1 pF @ 10 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	SuperSOT™-8
paquete / caja:	8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)