AOB11S60L | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. AOB11S60L

AOB11S60L

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	AOB11S60L
LIXINC Part #	AOB11S60L
Fabricante	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 600V 11A TO263
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	AOB11S60L Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 06 - Oct 10 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

AOB11S60L Especificaciones

Número de parte:	AOB11S60L
Marca:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
serie:	aMOS™
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Not For New Designs
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	600 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	11A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	399mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4.1V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	11 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	545 pF @ 100 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	178W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-263 (D²Pak)
paquete / caja:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB