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CSD19538Q2T

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Número de parte	CSD19538Q2T
LIXINC Part #	CSD19538Q2T
Fabricante	Texas Instruments
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	CSD19538Q2T Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

CSD19538Q2T Especificaciones

Número de parte:	CSD19538Q2T
Marca:	Texas Instruments
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Texas Instruments
serie:	NexFET™
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	100 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	13.1A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	6V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	59mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	3.8V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	5.6 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	454 pF @ 50 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	6-WSON (2x2)
paquete / caja:	6-WDFN Exposed Pad

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