PSMN130-200D,118-NEX | Rochester Electronics PSMN130-200D,118-NEX | PSMN130-200D,118-NEX Inventory, Best Pricing

PSMN130-200D,118-NEX

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Número de parte	PSMN130-200D,118-NEX
LIXINC Part #	PSMN130-200D,118-NEX
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	PSMN130-200D,118-NEX Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 27 - Oct 01 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

PSMN130-200D,118-NEX Especificaciones

Número de parte:	PSMN130-200D,118-NEX
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	*
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	-
tecnología:	-
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	-
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	-
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	-
rds en (máx.) @ id, vgs:	-
vgs(th) (máx) @ id:	-
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	-
vgs (máx.):	-
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	-
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	-
Temperatura de funcionamiento:	-
Tipo de montaje:	-
paquete de dispositivos del proveedor:	-
paquete / caja:	-