IXTY1R4N120PHV | Wickmann / Littelfuse IXTY1R4N120PHV | IXTY1R4N120PHV Inventory, Best Pricing

IXTY1R4N120PHV

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	IXTY1R4N120PHV
LIXINC Part #	IXTY1R4N120PHV
Fabricante	Wickmann / Littelfuse
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IXTY1R4N120PHV Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 06 - Oct 10 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IXTY1R4N120PHV Especificaciones

Número de parte:	IXTY1R4N120PHV
Marca:	Wickmann / Littelfuse
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Wickmann / Littelfuse
serie:	Polar™
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	1200 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	1.4A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	13Ohm @ 700mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4.5V @ 100µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	24.8 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	666 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	86W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-252
paquete / caja:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63