TPN4R303NL,L1Q | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPN4R303NL,L1Q

TPN4R303NL,L1Q

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Número de parte	TPN4R303NL,L1Q
LIXINC Part #	TPN4R303NL,L1Q
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 30V 40A 8TSON
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	TPN4R303NL,L1Q Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

TPN4R303NL,L1Q Especificaciones

Número de parte:	TPN4R303NL,L1Q
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	U-MOSVIII-H
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	40A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	4.3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.3V @ 200µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	14.8 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1400 pF @ 15 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	700mW (Ta), 34W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	8-TSON Advance (3.3x3.3)
paquete / caja:	8-PowerVDFN