Solo por referencia
Número de parte | BSZ086P03NS3EGATMA1 |
LIXINC Part # | BSZ086P03NS3EGATMA1 |
Fabricante | IR (Infineon Technologies) |
Categoría | semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples |
Descripción | MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON |
Ciclo vital | Activo |
RoHS | Sin información RoHS |
Modelos EDA/CAD | BSZ086P03NS3EGATMA1 Huella y símbolo de PCB |
Almacenes | Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong |
Entrega estimada | Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado) |
Garantía | Hasta 1 año [Garantía limitada]* |
Pago | |
Envío |
Número de parte: | BSZ086P03NS3EGATMA1 |
Marca: | IR (Infineon Technologies) |
Ciclo vital: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoría: | semiconductor discreto |
Subcategoría: | transistores - fets, mosfets - simples |
Fabricante: | IR (Infineon Technologies) |
serie: | OptiMOS™ |
paquete: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
estado de la pieza: | Active |
tipo de feto: | P-Channel |
tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
voltaje de drenaje a fuente (vdss): | 30 V |
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c: | 13.5A (Ta), 40A (Tc) |
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado): | 6V, 10V |
rds en (máx.) @ id, vgs: | 8.6mOhm @ 20A, 10V |
vgs(th) (máx) @ id: | 3.1V @ 105µA |
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs: | 57.5 nC @ 10 V |
vgs (máx.): | ±25V |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds: | 4785 pF @ 15 V |
característica fet: | - |
disipación de potencia (máx.): | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
paquete de dispositivos del proveedor: | PG-TSDSON-8 |
paquete / caja: | 8-PowerTDFN |
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En stock | 23914 - Más sobre el pedido |
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Límite de cotización | Sin límite |
Tiempo de espera | Para ser confirmado |
Mínimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.84000 | $0.84 |
5000 | $0.35084 | $1754.2 |
10000 | $0.33784 | $3378.4 |
25000 | $0.33075 | $8268.75 |
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