BSZ086P03NS3EGATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSZ086P03NS3EGATMA1 | BSZ086P03NS3EGATMA1 Inventory, Best Pricing

BSZ086P03NS3EGATMA1

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Número de parte	BSZ086P03NS3EGATMA1
LIXINC Part #	BSZ086P03NS3EGATMA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	BSZ086P03NS3EGATMA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

BSZ086P03NS3EGATMA1 Especificaciones

Número de parte:	BSZ086P03NS3EGATMA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	P-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	13.5A (Ta), 40A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	6V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	8.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	3.1V @ 105µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	57.5 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±25V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	4785 pF @ 15 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	2.1W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-TSDSON-8
paquete / caja:	8-PowerTDFN