NVTFS6H850NTAG | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVTFS6H850NTAG

NVTFS6H850NTAG

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Número de parte	NVTFS6H850NTAG
LIXINC Part #	NVTFS6H850NTAG
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NVTFS6H850NTAG Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 21 - Sep 25 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NVTFS6H850NTAG Especificaciones

Número de parte:	NVTFS6H850NTAG
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	Automotive, AEC-Q101
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	80 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	11A (Ta), 68A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	9.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 70µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	19 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1140 pF @ 40 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	3.2W (Ta), 107W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	8-WDFN (3.3x3.3)
paquete / caja:	8-PowerWDFN