2SK209-GR(TE85L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SK209-GR(TE85L,F) | 2SK209-GR(TE85L,F) Inventory, Best Pricing

2SK209-GR(TE85L,F)

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Número de parte	2SK209-GR(TE85L,F)
LIXINC Part #	2SK209-GR(TE85L,F)
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	TRANS SJT N-CH 10MA SC59
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	2SK209-GR(TE85L,F) Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jul 05 - Jul 09 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

2SK209-GR(TE85L,F) Especificaciones

Número de parte:	2SK209-GR(TE85L,F)
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	-
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	10mA (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	-
rds en (máx.) @ id, vgs:	-
vgs(th) (máx) @ id:	-
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	-
vgs (máx.):	-
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	13 pF @ 10 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	150mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 125°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	SC-59
paquete / caja:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3