RM185N30DF | Rectron USA RM185N30DF | RM185N30DF Inventory, Best Pricing

RM185N30DF

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Número de parte	RM185N30DF
LIXINC Part #	RM185N30DF
Fabricante	Rectron USA
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CHANNEL 30V 185A 8DFN
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	RM185N30DF Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jul 07 - Jul 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

RM185N30DF Especificaciones

Número de parte:	RM185N30DF
Marca:	Rectron USA
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rectron USA
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	185A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	1.4mOhm @ 95A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	-
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	8800 pF @ 15 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	95W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	8-DFN (5x6)
paquete / caja:	8-PowerVDFN