FDB045AN08A0-F085 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDB045AN08A0-F085 | FDB045AN08A0-F085 Inventory, Best Pricing

FDB045AN08A0-F085

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Número de parte	FDB045AN08A0-F085
LIXINC Part #	FDB045AN08A0-F085
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 75V 19A TO263AB
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	FDB045AN08A0-F085 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

FDB045AN08A0-F085 Especificaciones

Número de parte:	FDB045AN08A0-F085
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	75 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	19A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	6V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	4.5mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	138 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	6600 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	310W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-263AB
paquete / caja:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB