RJK0332DPB-01#J0 | Rochester Electronics RJK0332DPB-01#J0 | RJK0332DPB-01#J0 Inventory, Best Pricing

RJK0332DPB-01#J0

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	RJK0332DPB-01#J0
LIXINC Part #	RJK0332DPB-01#J0
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	SILICON N CHANNEL POWER SWITCHI
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	RJK0332DPB-01#J0 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 08 - Oct 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

RJK0332DPB-01#J0 Especificaciones

Número de parte:	RJK0332DPB-01#J0
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	35A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	4.7mOhm @ 17.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.5V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	14 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	2.18 pF @ 10 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	LFPAK
paquete / caja:	SC-100, SOT-669