IPD90N04S3H4ATMA1 | Rochester Electronics IPD90N04S3H4ATMA1 | IPD90N04S3H4ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPD90N04S3H4ATMA1

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	IPD90N04S3H4ATMA1
LIXINC Part #	IPD90N04S3H4ATMA1
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IPD90N04S3H4ATMA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jul 03 - Jul 07 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IPD90N04S3H4ATMA1 Especificaciones

Número de parte:	IPD90N04S3H4ATMA1
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	OptiMOS™
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	40 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	90A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	4.3mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 65µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	60 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	3.9 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	115W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-TO252-3
paquete / caja:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63