BUZ73HXKSA1 | Rochester Electronics BUZ73HXKSA1 | BUZ73HXKSA1 Inventory, Best Pricing

BUZ73HXKSA1

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	BUZ73HXKSA1
LIXINC Part #	BUZ73HXKSA1
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	BUZ73HXKSA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 24 - Sep 28 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

BUZ73HXKSA1 Especificaciones

Número de parte:	BUZ73HXKSA1
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	SIPMOS®
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	200 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	7A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	400mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	-
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	530 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-TO220-3
paquete / caja:	TO-220-3