C3M0280090D | Wolfspeed - a Cree company C3M0280090D | C3M0280090D Inventory, Best Pricing

C3M0280090D

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Número de parte	C3M0280090D
LIXINC Part #	C3M0280090D
Fabricante	Wolfspeed - a Cree company
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	C3M0280090D Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 25 - Sep 29 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

C3M0280090D Especificaciones

Número de parte:	C3M0280090D
Marca:	Wolfspeed - a Cree company
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Wolfspeed - a Cree company
serie:	C3M™
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	SiCFET (Silicon Carbide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	900 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	11.5A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	15V
rds en (máx.) @ id, vgs:	360mOhm @ 7.5A, 15V
vgs(th) (máx) @ id:	3.5V @ 1.2mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	9.5 nC @ 15 V
vgs (máx.):	+18V, -8V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	150 pF @ 600 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	54W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-247-3
paquete / caja:	TO-247-3