UF3C065030K3S | UnitedSiC UF3C065030K3S | UF3C065030K3S Inventory, Best Pricing

UF3C065030K3S

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Número de parte	UF3C065030K3S
LIXINC Part #	UF3C065030K3S
Fabricante	UnitedSiC
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	SICFET N-CH 650V 85A TO247-3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	UF3C065030K3S Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 26 - Sep 30 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

UF3C065030K3S Especificaciones

Número de parte:	UF3C065030K3S
Marca:	UnitedSiC
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	UnitedSiC
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	SiCFET (Cascode SiCJFET)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	650 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	85A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	12V
rds en (máx.) @ id, vgs:	35mOhm @ 50A, 12V
vgs(th) (máx) @ id:	6V @ 10mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	51 nC @ 15 V
vgs (máx.):	±25V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1500 pF @ 100 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	441W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-247-3
paquete / caja:	TO-247-3

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