G3R75MT12J | GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J | G3R75MT12J Inventory, Best Pricing

G3R75MT12J

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Número de parte	G3R75MT12J
LIXINC Part #	G3R75MT12J
Fabricante	GeneSiC Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	SIC MOSFET N-CH 42A TO263-7
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	G3R75MT12J Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 26 - Sep 30 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

G3R75MT12J Especificaciones

Número de parte:	G3R75MT12J
Marca:	GeneSiC Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	GeneSiC Semiconductor
serie:	G3R™
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	SiCFET (Silicon Carbide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	1200 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	42A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	15V
rds en (máx.) @ id, vgs:	90mOhm @ 20A, 15V
vgs(th) (máx) @ id:	2.69V @ 7.5mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	54 nC @ 15 V
vgs (máx.):	±15V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1560 pF @ 800 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	224W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-263-7
paquete / caja:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

IRF740ASTRLPBF	MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK	1212 Más sobre el pedido
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