RQ6E050ATTCR

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Número de parte RQ6E050ATTCR
LIXINC Part # RQ6E050ATTCR
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría semiconductor discretotransistores - fets, mosfets - simples
Descripción MOSFET P-CH 30V 5A TSMT6
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD RQ6E050ATTCR Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

RQ6E050ATTCR Especificaciones

Número de parte:RQ6E050ATTCR
Marca:ROHM Semiconductor
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:semiconductor discreto
Subcategoría:transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:ROHM Semiconductor
serie:-
paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:Active
tipo de feto:P-Channel
tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):30 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:5A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:27mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:2.5V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:20.8 nC @ 10 V
vgs (máx.):±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:940 pF @ 15 V
característica fet:-
disipación de potencia (máx.):1.25W (Ta)
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:TSMT6 (SC-95)
paquete / caja:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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