FQT1N60CTF-WS | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FQT1N60CTF-WS

FQT1N60CTF-WS

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	FQT1N60CTF-WS
LIXINC Part #	FQT1N60CTF-WS
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	FQT1N60CTF-WS Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

FQT1N60CTF-WS Especificaciones

Número de parte:	FQT1N60CTF-WS
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	QFET®
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	600 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	200mA (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	11.5Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	6.2 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	170 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	2.1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	SOT-223-4
paquete / caja:	TO-261-4, TO-261AA