TSM60N750CP ROG | TSC (Taiwan Semiconductor) TSM60N750CP ROG | TSM60N750CP ROG Inventory, Best Pricing

TSM60N750CP ROG

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Número de parte	TSM60N750CP ROG
LIXINC Part #	TSM60N750CP ROG
Fabricante	TSC (Taiwan Semiconductor)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO252
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	TSM60N750CP ROG Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jul 03 - Jul 07 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

TSM60N750CP ROG Especificaciones

Número de parte:	TSM60N750CP ROG
Marca:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	TSC (Taiwan Semiconductor)
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Not For New Designs
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	600 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	6A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	750mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	10.8 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	554 pF @ 100 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	62.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-252, (D-Pak)
paquete / caja:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SIA462DJ-T1-GE3	MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6	1035 Más sobre el pedido
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