IPD079N06L3GBTMA1 | IR (Infineon Technologies) IPD079N06L3GBTMA1 | IPD079N06L3GBTMA1 Inventory, Best Pricing

IPD079N06L3GBTMA1

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Número de parte	IPD079N06L3GBTMA1
LIXINC Part #	IPD079N06L3GBTMA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IPD079N06L3GBTMA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 25 - Sep 29 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IPD079N06L3GBTMA1 Especificaciones

Número de parte:	IPD079N06L3GBTMA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	60 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	50A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	7.9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.2V @ 34µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	29 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	4900 pF @ 30 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	79W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-TO252-3
paquete / caja:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

MCPF05N80-BP	MOSFET N-CH 800V 5A TO220F	1257 Más sobre el pedido
TJ10S04M3L(T6L1,NQ	MOSFET P-CH 40V 10A DPAK	953 Más sobre el pedido
IPD65R600C6BTMA1	COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET	3857 Más sobre el pedido
IRFB11N50APBF-BE3	MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB	1863 Más sobre el pedido
IRF7490TRPBF	MOSFET N-CH 100V 5.4A 8SO	1382 Más sobre el pedido
FDMS8050	MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN	269296963 Más sobre el pedido
SCT3160KW7TL	TRANS SJT N-CH 1200V 17A TO263-7	1881 Más sobre el pedido
SPP80N06S-08	N-CHANNEL POWER MOSFET	2983 Más sobre el pedido
BSC120N03LSG	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	3034 Más sobre el pedido
FDMC5614P	MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP	863 Más sobre el pedido
AUIRFS8408-7TRL	MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK	1057 Más sobre el pedido
VN0606L-G	MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3	1806 Más sobre el pedido
NP36N055HLE-AY	N-CHANNEL POWER MOSFET	1922 Más sobre el pedido