XPN9R614MC,L1XHQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation XPN9R614MC,L1XHQ

XPN9R614MC,L1XHQ

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Número de parte	XPN9R614MC,L1XHQ
LIXINC Part #	XPN9R614MC,L1XHQ
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET P-CH 40V 40A 8TSON
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	XPN9R614MC,L1XHQ Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 25 - Sep 29 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

XPN9R614MC,L1XHQ Especificaciones

Número de parte:	XPN9R614MC,L1XHQ
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	U-MOSVI
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	P-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	40 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	40A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	9.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.1V @ 500µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	64 nC @ 10 V
vgs (máx.):	+10V, -20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	3000 pF @ 10 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	840mW (Ta), 100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	175°C
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	8-TSON Advance (3.3x3.6)
paquete / caja:	8-PowerVDFN