XP261N70023R-G | Torex Semiconductor Ltd. XP261N70023R-G | XP261N70023R-G Inventory, Best Pricing

XP261N70023R-G

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Número de parte	XP261N70023R-G
LIXINC Part #	XP261N70023R-G
Fabricante	Torex Semiconductor Ltd.
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 60V 150MA SOT323-3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	XP261N70023R-G Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 28 - Oct 02 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

XP261N70023R-G Especificaciones

Número de parte:	XP261N70023R-G
Marca:	Torex Semiconductor Ltd.
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Torex Semiconductor Ltd.
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	60 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	150mA (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	5Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.1V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	380 pC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	18 pF @ 20 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	350mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	SOT-323-3
paquete / caja:	SC-70, SOT-323