IMW65R027M1HXKSA1 | IR (Infineon Technologies) IMW65R027M1HXKSA1 | IMW65R027M1HXKSA1 Inventory, Best Pricing

IMW65R027M1HXKSA1

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Número de parte	IMW65R027M1HXKSA1
LIXINC Part #	IMW65R027M1HXKSA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IMW65R027M1HXKSA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 28 - Oct 02 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IMW65R027M1HXKSA1 Especificaciones

Número de parte:	IMW65R027M1HXKSA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	-
tecnología:	-
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	-
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	47A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	-
rds en (máx.) @ id, vgs:	-
vgs(th) (máx) @ id:	-
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	-
vgs (máx.):	-
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	-
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	-
Temperatura de funcionamiento:	-
Tipo de montaje:	-
paquete de dispositivos del proveedor:	-
paquete / caja:	-