G3R45MT17D | GeneSiC Semiconductor G3R45MT17D | G3R45MT17D Inventory, Best Pricing

G3R45MT17D

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	G3R45MT17D
LIXINC Part #	G3R45MT17D
Fabricante	GeneSiC Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	G3R45MT17D Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 08 - Oct 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

G3R45MT17D Especificaciones

Número de parte:	G3R45MT17D
Marca:	GeneSiC Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	GeneSiC Semiconductor
serie:	G3R™
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	SiCFET (Silicon Carbide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	1700 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	61A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	15V
rds en (máx.) @ id, vgs:	58mOhm @ 40A, 15V
vgs(th) (máx) @ id:	2.7V @ 8mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	182 nC @ 15 V
vgs (máx.):	±15V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	4523 pF @ 1000 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	438W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-247-3
paquete / caja:	TO-247-3