Solo por referencia
Número de parte | SIRA50ADP-T1-RE3 |
LIXINC Part # | SIRA50ADP-T1-RE3 |
Fabricante | Vishay / Siliconix |
Categoría | semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples |
Descripción | MOSFET N-CH 40V 54.8A/219A PPAK |
Ciclo vital | Activo |
RoHS | Sin información RoHS |
Modelos EDA/CAD | SIRA50ADP-T1-RE3 Huella y símbolo de PCB |
Almacenes | Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong |
Entrega estimada | Oct 08 - Oct 12 2024(Elija envío acelerado) |
Garantía | Hasta 1 año [Garantía limitada]* |
Pago | |
Envío |
Número de parte: | SIRA50ADP-T1-RE3 |
Marca: | Vishay / Siliconix |
Ciclo vital: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoría: | semiconductor discreto |
Subcategoría: | transistores - fets, mosfets - simples |
Fabricante: | Vishay / Siliconix |
serie: | TrenchFET® Gen IV |
paquete: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
estado de la pieza: | Active |
tipo de feto: | N-Channel |
tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
voltaje de drenaje a fuente (vdss): | 40 V |
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c: | 54.8A (Ta), 219A (Tc) |
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado): | 4.5V, 10V |
rds en (máx.) @ id, vgs: | 1.04mOhm @ 20A, 10V |
vgs(th) (máx) @ id: | 2.2V @ 250µA |
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs: | 150 nC @ 10 V |
vgs (máx.): | +20V, -16V |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds: | 7300 pF @ 20 V |
característica fet: | - |
disipación de potencia (máx.): | 6.25W (Ta), 100W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
paquete de dispositivos del proveedor: | PowerPAK® SO-8 |
paquete / caja: | PowerPAK® SO-8 |
2SK4198FS | MOSFET N-CH 600V 4A TO220-3 | 58195 Más sobre el pedido |
|
BSC009NE2LS5IATMA1 | MOSFET N-CH 25V 40A/100A TDSON | 881 Más sobre el pedido |
|
TK11A65W,S5X | MOSFET N-CH 650V 11.1A TO220SIS | 1096 Más sobre el pedido |
|
IPW60R125CPFKSA1 | MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3 | 922 Más sobre el pedido |
|
NDD60N360U1-35G | MOSFET N-CH 600V 11A IPAK | 33696 Más sobre el pedido |
|
TN5335N8-G | MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA | 881 Más sobre el pedido |
|
NP80N03MLE-S18-AY | MOSFET N-CH 30V 80A TO220 | 1100 Más sobre el pedido |
|
AUIRFSL8403 | MOSFET N-CH 40V 123A TO262 | 2963 Más sobre el pedido |
|
FQP2N80 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 | 3835 Más sobre el pedido |
|
NVMFS5C404NWFAFT1G | MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN | 919 Más sobre el pedido |
|
BSS84PWH6327XTSA1 | MOSFET P-CH 60V 150MA SOT323-3 | 37495 Más sobre el pedido |
|
IXTQ48N20T | MOSFET N-CH 200V 48A TO3P | 917 Más sobre el pedido |
|
DMN1019UVT-13 | MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26 | 912 Más sobre el pedido |
En stock | 13826 - Más sobre el pedido |
---|---|
Límite de cotización | Sin límite |
Tiempo de espera | Para ser confirmado |
Mínimo | 1 |
Consejos cálidos: por favor complete el formulario a continuación. Nos pondremos en contacto con usted tan pronto como sea posible.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $1.66000 | $1.66 |
3000 | $0.84360 | $2530.8 |
6000 | $0.81432 | $4885.92 |
Lixinc le ofrecerá los precios más competitivos, consulte las cotizaciones.
Por favor, siéntase libre de contactarnos para más detalles.