NTHL095N65S3HF

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Número de parte NTHL095N65S3HF
LIXINC Part # NTHL095N65S3HF
Fabricante Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría semiconductor discretotransistores - fets, mosfets - simples
Descripción MOSFET N-CH 650V 36A TO247-3
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD NTHL095N65S3HF Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Jul 03 - Jul 07 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NTHL095N65S3HF Especificaciones

Número de parte:NTHL095N65S3HF
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:semiconductor discreto
Subcategoría:transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:FRFET®, SuperFET® III
paquete:Tube
estado de la pieza:Active
tipo de feto:N-Channel
tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):650 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:36A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
rds en (máx.) @ id, vgs:95mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:5V @ 860µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:66 nC @ 10 V
vgs (máx.):±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:2930 pF @ 400 V
característica fet:-
disipación de potencia (máx.):272W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:TO-247-3
paquete / caja:TO-247-3

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