BSB013NE2LXIXUMA1 | IR (Infineon Technologies) BSB013NE2LXIXUMA1 | BSB013NE2LXIXUMA1 Inventory, Best Pricing

BSB013NE2LXIXUMA1

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	BSB013NE2LXIXUMA1
LIXINC Part #	BSB013NE2LXIXUMA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 25V 36A/163A 2WDSON
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	BSB013NE2LXIXUMA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jul 08 - Jul 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

BSB013NE2LXIXUMA1 Especificaciones

Número de parte:	BSB013NE2LXIXUMA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	25 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	36A (Ta), 163A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	1.3mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	62 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	4400 pF @ 12 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	2.8W (Ta), 57W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	MG-WDSON-2, CanPAK M™
paquete / caja:	3-WDSON