TK12P60W,RVQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK12P60W,RVQ

TK12P60W,RVQ

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	TK12P60W,RVQ
LIXINC Part #	TK12P60W,RVQ
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	TK12P60W,RVQ Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jul 05 - Jul 09 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

TK12P60W,RVQ Especificaciones

Número de parte:	TK12P60W,RVQ
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	DTMOSIV
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	600 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	11.5A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	340mOhm @ 5.8A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	3.7V @ 600µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	25 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	890 pF @ 300 V
característica fet:	Super Junction
disipación de potencia (máx.):	100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	DPAK
paquete / caja:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63