2SJ438,Q(M | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SJ438,Q(M

2SJ438,Q(M

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Número de parte	2SJ438,Q(M
LIXINC Part #	2SJ438,Q(M
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET P-CH TO220NIS
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	2SJ438,Q(M Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 21 - Sep 25 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

2SJ438,Q(M Especificaciones

Número de parte:	2SJ438,Q(M
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	*
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	-
tecnología:	-
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	-
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	5A (Tj)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	-
rds en (máx.) @ id, vgs:	-
vgs(th) (máx) @ id:	-
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	-
vgs (máx.):	-
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	-
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	-
Temperatura de funcionamiento:	-
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-220NIS
paquete / caja:	TO-220-3 Full Pack