APT10M09B2VFRG | Microsemi APT10M09B2VFRG | APT10M09B2VFRG Inventory, Best Pricing

APT10M09B2VFRG

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Número de parte	APT10M09B2VFRG
LIXINC Part #	APT10M09B2VFRG
Fabricante	Microsemi
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	APT10M09B2VFRG Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 21 - Sep 25 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

APT10M09B2VFRG Especificaciones

Número de parte:	APT10M09B2VFRG
Marca:	Microsemi
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Microsemi
serie:	POWER MOS V®
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	100 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	100A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 2.5mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	350 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	9875 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	625W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	T-MAX™ [B2]
paquete / caja:	TO-247-3 Variant