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APTC90DAM60T1G

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Número de parte	APTC90DAM60T1G
LIXINC Part #	APTC90DAM60T1G
Fabricante	Microsemi
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 900V 59A SP1
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	APTC90DAM60T1G Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 21 - Sep 25 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

APTC90DAM60T1G Especificaciones

Número de parte:	APTC90DAM60T1G
Marca:	Microsemi
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Microsemi
serie:	CoolMOS™
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	900 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	59A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	60mOhm @ 52A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	3.5V @ 6mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	540 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	13600 pF @ 100 V
característica fet:	Super Junction
disipación de potencia (máx.):	462W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Chassis Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	SP1
paquete / caja:	SP1