PHT8N06LT,135 | NXP Semiconductors PHT8N06LT,135 | PHT8N06LT,135 Inventory, Best Pricing

PHT8N06LT,135

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	PHT8N06LT,135
LIXINC Part #	PHT8N06LT,135
Fabricante	NXP Semiconductors
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	PHT8N06LT,135 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jul 04 - Jul 08 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

PHT8N06LT,135 Especificaciones

Número de parte:	PHT8N06LT,135
Marca:	NXP Semiconductors
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	NXP Semiconductors
serie:	TrenchMOS™
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	55 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	3.5A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	5V
rds en (máx.) @ id, vgs:	80mOhm @ 5A, 5V
vgs(th) (máx) @ id:	2V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	11.2 nC @ 5 V
vgs (máx.):	±13V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	650 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	SOT-223
paquete / caja:	TO-261-4, TO-261AA